DXTN5840CFDB-7_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-龙鼎微

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3000+	¥1.58875

厂家型号：
DXTN5840CFDB-7
制造商：
PAM/龙鼎微
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
3-UDFN 裸露焊盘
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-7-31 16:12:00

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详细信息
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原厂料号：DXTN5840CFDB-7品牌：Diodes Incorporated

资料说明：SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

DXTN5840CFDB-7是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商PAM/龙鼎微生产封装3-UDFN 裸露焊盘的DXTN5840CFDB-7晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
dxtn5840cfdb-7
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
PAM【龙鼎微】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated
中文名称：
龙鼎微电子（上海）有限公司
资料说明：
SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

产品属性

类型
描述
产品编号：
DXTN5840CFDB-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 30mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
U-DFN2020-3（B 类）
描述：
SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

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DXTN5840CFDB-7

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