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DXT751-13	文件：170.82 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (DXT651) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：170.82 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT751-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES
DXTN26070CY-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89(SOT-89-3)	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DXW21BN7511SL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	MURATA 村田上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	MURATA

产品属性

产品编号：
DXT751-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
145MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS PNP 60V 3A SOT89-3

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