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DXT2010P5 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 DIODES/美台半导体

DXT2010P5参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    DXT2010P5

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    DIODES

  • 库存数量:

    800

  • 产品封装:

  • 生产批号:

    23+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2025-12-24 11:11:00

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原厂料号:DXT2010P5品牌:DIODES

全新原装正品现货,支持订货

DXT2010P5是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商DIODES/Diodes Incorporated生产封装PowerDI™ 5的DXT2010P5晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

  • 芯片型号:

    DXT2010P5

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    DIODES【美台半导体】详情

  • 厂商全称:

    Diodes Incorporated

  • 内容页数:

    7 页

  • 文件大小:

    204.17 kb

  • 资料说明:

    60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR PowerDI짰5

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 制造商编号

    :DXT2010P5

  • 生产厂家

    :达尔

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :6 A

  • ICM (A)

    :20 A

  • PD (W)

    :3.2 W

  • hFE (min)

    :100 Min

  • hFE(@ IC)

    :2 A

  • hFE(Min 2)

    :55

  • hFE(@ IC2)

    :5 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :70 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :50

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :135 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/50

  • fT (MHz)

    :130 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :PowerDI5

供应商

  • 企业:

    深圳市安富世纪电子有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

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    谢云

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