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DTD723YM	文件：353.46 Kbytes Page：7 Pages	NPN200mA30VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
ET723	文件：206.93 Kbytes Page：4 Pages	STEERINGDIODEARRAY DESCRIPTION TheET723isalowcapacitanceandlowleakagesteeringdiodearraycapableofprotectinguptosix(6)highspeeddatalines.Itsultralowcapacitanceallowsmaintenanceofsignalintegrityforhigh-speeddatalineswhileprotectingthecircuitICsfromthedamageofseveretransien	PROTEC Protek Devices	PROTEC
ET723	文件：504.65 Kbytes Page：6 Pages	ultralowcapacitancesteeringdiodearray	PROTEC Protek Devices	PROTEC
ET723	文件：79.88 Kbytes Page：4 Pages	STEERINGDIODEARRAY FEATURES ✔ESDProtection>40kilovolts ✔LowClampingVoltage ✔ProvidesSix(6)LinesofProtection ✔LowLeakageCurrent	PROTEC Protek Devices	PROTEC
FM723-NL	文件：91.3 Kbytes Page：7 Pages	200mASurfaceMountSmallSignalSchottkyDiode-30V	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM723-NS	文件：68.32 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemountsmallsignaltype	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMMT723	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT723	文件：38.04 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●625mWpowerdissipation ●ICCONT2.5A ●ICUpTo10Apeakpulsecurrent ●ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ●ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT723	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-12V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. •RCE(sat)=72mΩat2.5Aforalowequivalenton-resistance •625mWpowerdissipation •hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT723	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
DTB723YETL
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 100mA，2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
EMT3
描述：
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

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