FMMT723分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FMMT723 |
| 参数属性 | FMMT723 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 1A SOT23-3 |
| 功能描述 | SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
367.43 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 18:15:00 |
| 人工找货 | FMMT723价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FMMT723规格书详情
FMMT723属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的FMMT723晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• BVCEO > -100V
• IC = -1A High Continuous Collector Current
• ICM= -2.5A Peak Pulse Current
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -330mV @ -1A
• RCE(SAT) = 210mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
• 625mW Power Dissipation
• hFE Characterized up to -1.5A for High Current Gain Hold-Up
• Complementary NPN Type: FMMT624
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)
Applications
• High-Side Driver
• Load Disconnect Switch
• Motor Drive
产品属性
更多- 产品编号：
FMMT723TA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
330mV @ 150mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 500mA，10V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PNP 100V 1A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
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