DTA114ECA分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DTA114ECA |
| 参数属性 | DTA114ECA 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3 |
| 功能描述 | PNP Digital Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
889.46 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
| 企业简称 |
TSC【台湾半导体】 |
| 中文名称 | 台湾半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-23 22:59:00 |
| 人工找货 | DTA114ECA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DTA114ECA规格书详情
FEATURES
- Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistor (see equivalent circuit).
- The bias resistors consist of thin -film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input.They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.
- Only the on/off conditions need to be set for operation,marking device design easy.
- Green compound (Halogen free) with suffix G on packing code and prefix G on date code.
产品属性
- 产品编号：
DTA114ECAT116
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SST3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
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CJ/长电 |
2021 |
SOT-23 |
15000 |
询价 |
