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DTA114E分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号	DTA114E
参数属性	DTA114E 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3
功能描述	DTA/DTC SERIES TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	878.01 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	ROHM
中文名称	罗姆
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-2-9 16:31:00
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晶体管资料

型号：
DTA114EC,EK(A)
别名：
DTA114E三极管、DTA114E晶体管、DTA114E晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AN1A4M,RN2002,UN4111,2SA1348,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.3

DTA114E规格书详情

DTA114E属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由罗姆半导体集团制造生产的DTA114E晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

Digital transistors (built-in resistors)

产品属性

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产品编号：
DTA114ECAT116
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SST3
描述：
TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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