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DTA114E分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号	DTA114E
参数属性	DTA114E 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3
功能描述	DIGITAL TRANSISTOR
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	237.89 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	UTC
中文名称	友顺
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-2-9 19:00:00
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晶体管资料

型号：
DTA114EC,EK(A)
别名：
DTA114E三极管、DTA114E晶体管、DTA114E晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AN1A4M,RN2002,UN4111,2SA1348,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
DTA114ECAT116
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SST3
描述：
TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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