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DST847BDJ-7	文件：138.91 Kbytes Page：5 Pages	DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •DualNPNSS •BVCEO>45V •IC=100mAHighCollectorCurrent •PD=300mWPowerDissipation •1mm2PackageFootprint,5TimesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •ComplementaryPNPTypeAvailable(DST857BDJ) •TotallyLead-Free&FullyRo	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

DST847BDJ-7

文件：138.91 Kbytes

Page：5 Pages

DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features •DualNPNSS •BVCEO>45V •IC=100mAHighCollectorCurrent •PD=300mWPowerDissipation •1mm2PackageFootprint,5TimesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •ComplementaryPNPTypeAvailable(DST857BDJ) •TotallyLead-Free&FullyRo

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

详细参数

型号：
DST847BDJ-7
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANS NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多DST847BDJ-7供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

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