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DSS5540X-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DSS5540X-13
厂商型号

DSS5540X-13

参数属性

DSS5540X-13 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 4A SOT89-3

功能描述

40V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

TO-243AA

文件大小

132.81 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:00:00

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DSS5540X-13规格书详情

特性 Features

• BVCEO > -40V

• IC = -4A Continuous Collector Current

• Ultra Low Collector-Emitter Saturation Voltage

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• For automotive applications requiring specific change

control (i.e. parts qualified to AEC-Q101, PPAP capable, and

manufactured in IATF 16949 certified facilities), please

contact us or your local Diodes representative.

https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

产品属性

  • 产品编号:

    DSS5540X-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    375mV @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    60MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 4A SOT89-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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