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RF3166D	文件：365.06 Kbytes Page：14 Pages	DUAL-BANDGSM900/DCSPOWERAMPMODULE	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF3166DSB	文件：365.06 Kbytes Page：14 Pages	DUAL-BANDGSM900/DCSPOWERAMPMODULE	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF3166DSB	文件：230.29 Kbytes Page：12 Pages	DUAL-BANDGSM900/DCSPOWERAMPMODULE ProductDescription TheRF3166isahigh-power,high-efficiencypoweramplifiermodulewithintegratedpowercontrolthatprovidesover50dBofcontrolrange.Thedeviceisaself-contained6mmx6mmmodulewith50Ωinputandoutputterminals.ThedeviceisdesignedforuseasthefinalRFamplifie	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF3166SB	文件：239.63 Kbytes Page：14 Pages	QUAD-BANDGSM850/GSM900/DCS/PCSPOWERAMPMODULE ProductDescription TheRF3166isahigh-power,high-efficiencypoweramplifiermodulewithintegratedpowercontrolthatprovidesover50dBofcontrolrange.Thedeviceisaself-contained6mmx6mmmodulewith50Ωinputandoutputterminals.ThedeviceisdesignedforuseasthefinalRFamplifie	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF3166SB	文件：390.07 Kbytes Page：16 Pages	QUAD-BANDGSM850/GSM900/DCS/PCSPOWERAMPMODULE	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SZM3166Z	文件：331.05 Kbytes Page：12 Pages	3.3GHzto3.6GHz2WPOWERAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sSZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwithMOCVDforanid	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SZM-3166Z	文件：355.69 Kbytes Page：9 Pages	3.3-3.6GHz2WPowerAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevices’SZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwith	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SZM-3166Z	文件：331.05 Kbytes Page：12 Pages	3.3GHzto3.6GHz2WPOWERAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sSZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwithMOCVDforanid	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SZM3166ZSQ	文件：331.05 Kbytes Page：12 Pages	3.3GHzto3.6GHz2WPOWERAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sSZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwithMOCVDforanid	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SZM3166ZSR	文件：331.05 Kbytes Page：12 Pages	3.3GHzto3.6GHz2WPOWERAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sSZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwithMOCVDforanid	RFMD RF Micro Devices	RFMD

详细参数

型号：
DS3166
制造商：
Maxim Integrated Products
功能描述：
6 PORT ATM/PHY 676-TEPBGA - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市朱博士电子科技有限公司	DS3166	DALLAS	2405+	原厂封装	12500	15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐	询价
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