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TLV2762IDR	文件：470.85 Kbytes Page：27 Pages	FAMILYOF1.8VMICROPOWERRAIL-TO-RAILINPUT/OUTPUTOPERATIONALAMPLIFIERSWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2762IP	文件：470.85 Kbytes Page：27 Pages	FAMILYOF1.8VMICROPOWERRAIL-TO-RAILINPUT/OUTPUTOPERATIONALAMPLIFIERSWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TZ2762B	文件：151.01 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.640.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ2762D	文件：181.11 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.640.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ2762E	文件：152.92 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.640.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
U2762B	文件：299.27 Kbytes Page：9 Pages	900-MHzISMBandReceiver	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
U2762B-BFS	文件：299.27 Kbytes Page：9 Pages	900-MHzISMBandReceiver	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
UPA2762UGR	文件：207.45 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheμPA2762UGRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=13.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=12A) ⎯RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=10A) •LowCiss:Ciss	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2762T	文件：404.53 Kbytes Page：16 Pages	3V,2.9GHzSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8182TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICoperatesat3V.ThemediumoutputpowerissuitableforRF-TXofmobilecommunicationssystem. FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=3	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2762T	文件：144.32 Kbytes Page：6 Pages	3V,WIDEBANDMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2762TandUPC2763TareSiliconMonolithicintegratedcircuitswhicharemanufacturedusingtheNESATIIIprocess.TheNESATIIIprocessproducestransistorswithfTapproaching20GHz.Theseamplifiersweredesignedfor900MHzand1.9GHzreceiversincellular,cordlessteleph	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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