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TZ2762D	文件：181.11 Kbytes Page：8 Pages	Crystal Unit SMD 2.0x1.6 40.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ2762E	文件：152.92 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.640.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
U2762B	文件：299.27 Kbytes Page：9 Pages	900-MHzISMBandReceiver	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
U2762B-BFS	文件：299.27 Kbytes Page：9 Pages	900-MHzISMBandReceiver	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
UPA2762UGR	文件：207.45 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheμPA2762UGRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=13.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=12A) ⎯RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=10A) •LowCiss:Ciss	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2762T	文件：404.53 Kbytes Page：16 Pages	3V,2.9GHzSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8182TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICoperatesat3V.ThemediumoutputpowerissuitableforRF-TXofmobilecommunicationssystem. FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=3	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2762T	文件：395.2 Kbytes Page：30 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Mediumoutputpower:μPC2762TB;PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2771TB;PO(1dB)=+11.5dBmTYP.@f=0.9GHz •Powergain:μPC2762TB;GP=13dBTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;GP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2762T	文件：144.32 Kbytes Page：6 Pages	3V,WIDEBANDMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2762TandUPC2763TareSiliconMonolithicintegratedcircuitswhicharemanufacturedusingtheNESATIIIprocess.TheNESATIIIprocessproducestransistorswithfTapproaching20GHz.Theseamplifiersweredesignedfor900MHzand1.9GHzreceiversincellular,cordlessteleph	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2762T	文件：327.58 Kbytes Page：19 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=30mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+9.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=21.5dBTYP.@f=0.9GHz GP=20.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2762T	文件：332.18 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=23.0mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=19.0dBTYP.@f=0.9GHz GP=2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	TZ2762D	TST	23+	SMD	56000	TST全系列在售,支持实单	询价
深圳市索歌特科技有限公司	TZ2762D	TST	23+	-	35375	华南总代	询价
深圳市芯皇电子有限公司	TZ2762D	TST	23+	SMD	25000	专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优	询价
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