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HSD2118J	文件：55.05 Kbytes Page：5 Pages	LOWVCE(sat)TRANSISTOR(20V,5A) Feature •LowVCE(sat),VCE(sat)=0.6V(Typ.)(IC=4A/IB=0.1A) •ExcellentDCCurrentGainCharacteristic •ComplementstheHSB1386J Structure EpitaxialPlanarTypeNPNSiliconTransistor	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HY2118	文件：1.59174 Mbytes Page：33 Pages	BatteryPacksProtectionICs	HYCONHYCON inc 纮康科技纮康科技公司	HYCON
IR2118	文件：272.83 Kbytes Page：18 Pages	Gatedrivesupplyrangefrom10to20V Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
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