DS2070W中文资料3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM数据手册ADI规格书

描述 Description

DS2070W是16Mb、可回流焊非易失(NV) SRAM，该器件包括静态RAM (SRAM)，NV控制器，以及内置的可充电锂锰(ML)电池。该系列器件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加电时，模块对ML电池充电，同时使用外部电源为SRAM供电，并允许修改SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时，控制器立即对SRAM的内容实施写保护，并由电池为SRAM供电。DS2070W还含有一个电源监视器输出(/RST)，可用于微处理器(CPU)监控。

特性 Features

• 单片、可回流、27mm x 27mm的BGA封装
• 内置ML电池和充电器
• 当VCC超出容限后，无条件对SRAM实施写保护
• 当VCC失效后自动切换至电池供电
• 内置电源监视器检测电源是否低于VCC额定值(3.3V)
• 复位输出可用作微处理器(CPU)监控
• 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

应用 Application

• 数据采集系统
• 烟雾报警器
• 游戏机PLC
• 工业控制器
• POS终端
• RAID系统和服务器
• 路由器/交换机

简介

DS2070W属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS2070W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。