Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM

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DALLAS

Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS2045Y/AB Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS2045Y/AB Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM

DS2045W是1Mb，可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045W还含有电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。 \n• 内部ML电池和充电器 \n• VCC电源失效后，自动切换到电池供电 \n• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

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单芯片、1M非易失SRAM

DS2045是1Mb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2045还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。 \n• 单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装 \n• 内部ML电池和充电器 \n• VCC超出容限后，对SRAM无条件写保护 \n• VCC电源失效后，自动切换到电池供电 \n• 内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10% \n• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

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Package：256-BGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA

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Package：256-BGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA

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Package：256-BGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA

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