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DS2045Y-70集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

DS2045Y-70
厂商型号

DS2045Y-70

参数属性

DS2045Y-70 封装/外壳为256-BGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA

功能描述

Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM

封装外壳

256-BGA

文件大小

428 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Dallas Semiconductor
企业简称

DALLAS亚德诺

中文名称

亚德诺半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 8:26:00

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产品属性

  • 产品编号:

    DS2045Y-70

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    256-BGA

  • 供应商器件封装:

    256-BGA(27x27)

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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