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DS2045Y-100集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DS2045Y-100 |
参数属性 | DS2045Y-100 封装/外壳为256-BGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA |
功能描述 | Single-Piece 1Mb Nonvolatile SRAM |
封装外壳 | 256-BGA |
文件大小 |
428 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | Dallas Semiconductor |
企业简称 |
DALLAS【亚德诺】 |
中文名称 | 亚德诺半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-27 8:26:00 |
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产品属性
- 产品编号:
DS2045Y-100
- 制造商:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
NVSRAM
- 技术:
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存储容量:
1Mb(128K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
100ns
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
256-BGA
- 供应商器件封装:
256-BGA(27x27)
- 描述:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
23+ |
BGA |
999999 |
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询价 | ||
Maxim Integrated |
21+ |
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22+ |
NA |
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DALLAS |
24+ |
BGA |
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DALLAS |
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BGA |
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Dallas |
23+ |
256-BGA |
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23+ |
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DALLAS |
23+ |
256-BGA |
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DALLAS |
23+ |
BGA |
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DALLAS |
ROHS |
13352 |
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