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EL2003CM	文件：371.6 Kbytes Page：12 Pages	100MHzVideoLineDriver TheEL2003andEL2033aregeneralpurposemonolithicunitygainbuffersfeaturing100MHz,-3dBbandwidth and4nssmallsignalrisetime.Thesebuffersarecapableofdeliveringa±100mAcurrenttoaresistiveloadandareoscillationfreeintocapacitiveloads.Inaddition,theEL2003andEL203	Intersil Intersil Corporation	Intersil
EL2003CN	文件：481.24 Kbytes Page：17 Pages	100MHzVideoLineDriver GeneralDescription TheEL2003CandEL2033Caregeneralpurposemonolithicunitygainbuffersfeaturing100MHz,-3dBbandwidthand4nssmallsignalrisetime.Thesebuffersarecapableofdeliveringa±100mAcurrenttoaresistiveloadandareoscillationfreeintocapacitiveloads.Inaddition	Elantec Elantec Semiconductor	Elantec
EL2003CN	文件：371.6 Kbytes Page：12 Pages	100MHzVideoLineDriver TheEL2003andEL2033aregeneralpurposemonolithicunitygainbuffersfeaturing100MHz,-3dBbandwidth and4nssmallsignalrisetime.Thesebuffersarecapableofdeliveringa±100mAcurrenttoaresistiveloadandareoscillationfreeintocapacitiveloads.Inaddition,theEL2003andEL203	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ER2003CT	文件：87.51 Kbytes Page：2 Pages	ISOLATIONSUPERFASTRECOVERYRECTIFIER VOLTAGE50to600VoltsCURRENT20.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvo	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
ER2003FCT	文件：97.66 Kbytes Page：2 Pages	ISOLATIONSUPERFASTRECOVERYRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvoltge,highcurrentcapability •Highsurgecapacit	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
E-TDA2003V	文件：301 Kbytes Page：10 Pages	10WCARRADIOAUDIOAMPLIFIER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
E-ULN2003A	文件：930.86 Kbytes Page：16 Pages	SevenDarlingtonarray	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
F2003	文件：37.6 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F2003ERW	文件：225.6 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,Compact20W,2:1InputRangeDC/DCConverters KeyFeatures: •20WOutputPower •2:1InputVoltageRange •1,500VDCIsolation •Single&DualOutputs •Efficiencyto86 •Compact1.6x2In.Case •-40°Cto+71°COperation •IndustryStandardPin-Out •LowestCost!!	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
F2003ERW	文件：217.73 Kbytes Page：2 Pages	F2000ERWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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