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DS1250ABP-100-IND	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas

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DS1250ABP-100-IND

文件：217.62 Kbytes

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4096kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch

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更多DS1250ABP-100IND+供应商更新时间2025-5-25 16:12:00

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