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DS1249W_10	文件：211.29 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1249W-100	文件：157.47 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1249W2048kbnonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas262,144wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1249W-100-IND	文件：157.47 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1249W2048kbnonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas262,144wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1249W-100	文件：211.29 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1249W-100IND	文件：211.29 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1249W-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1249W-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1249W-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
DS1249W_10
功能描述：
NVRAM 3.3V 2048K NV SRAM
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
数据总线宽度：
8 bit
存储容量：
1024 Kbit
组织：
128 K x 8
接口类型：
Parallel
访问时间：
70 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
4.5 V
工作电流：
85 mA
最大工作温度：
+ 70 C
最小工作温度：
0 C
封装/箱体：
EDIP
封装：
Tube

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更多DS1249W_10供应商更新时间2025-7-31 9:00:00

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