16K Nonvolatile SRAM

文件：258.54 Kbytes 页数：7 Pages

ARTSCHIP

64k Nonvolatile SRAM

文件：147.62 Kbytes 页数：10 Pages

DALLAS

64k Nonvolatile SRAM

文件：147.62 Kbytes 页数：10 Pages

DALLAS

16k非易失SRAM

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM \n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作 \n• JEDEC标准的24引脚DIP封装 \n• 100ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1220AD) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1220AB) \n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;

ADI

亚德诺

16k非易失SRAM

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM \n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作 \n• JEDEC标准的24引脚DIP封装 \n• 100ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1220AD) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1220AB) \n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;

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亚德诺

Package：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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Package：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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亚德诺

Package：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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亚德诺