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DS1225AB-200IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
DS1225AB-200	文件：147.62 Kbytes Page：10 Pages	64kNonvolatileSRAM	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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产品属性

产品编号：
DS1225AB-200IND+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
64Kb（8K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
200ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-EDIP
描述：
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP

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