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BZT52H-B9V1	文件：126.46 Kbytes Page：13 Pages	Marking：DS；Package：SOD-123F；Single Zener diodes in a SOD123F package	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
FP6142-30C5G	文件：488.01 Kbytes Page：10 Pages	Marking：Ds；Package：SC-70-5；500mA Low Noise LDO with Soft-Start and Output Discharge Function	FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司	FITIPOWER
FP6142-30C5P	文件：488.01 Kbytes Page：10 Pages	Marking：Ds；Package：SC-70-5；500mA Low Noise LDO with Soft-Start and Output Discharge Function	FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司	FITIPOWER
PDTC114EM	文件：717.9 Kbytes Page：17 Pages	Marking：DS；Package：SOT-883；NPN resistor-equipped transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SMBJ78C	文件：279.72 Kbytes Page：4 Pages	Marking：DS；Package：DO-214AA；Surface Mount Transient Voltage Suppressors	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
ADS065J016G3	文件：1.17064 Mbytes Page：9 Pages	Marking：DS065016G3；Package：TO-247-3L；3 rd Generation 65 0V/ 16 A SiC Schottky Barrier Diode Features AECQ101qualified RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerange	SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd 三安光电三安光电股份有限公司	SANAN
ADS065J020C3	文件：1.15573 Mbytes Page：9 Pages	Marking：DS065020C3；Package：TO-220-2L；3 rd Generation 650V /20A SiC Schottky Barrier Diode AECQ101qualified RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScomp	SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd 三安光电三安光电股份有限公司	SANAN
ADS065J020E3	文件：1.08429 Mbytes Page：9 Pages	Marking：DS065020E3；Package：TO-263-2L；3 rd Generation 650V /20A SiC Schottky Barrier Diode AECQ101qualified RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScomp	SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd 三安光电三安光电股份有限公司	SANAN
ADS065J020G3	文件：1.03273 Mbytes Page：9 Pages	Marking：DS065020G3；Package：TO-247-3L；3 rd Generation 65 0V/ 20 A SiC Schottky Barrier Diode AECQ101qualified RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScom	SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd 三安光电三安光电股份有限公司	SANAN
ADS065J020H3	文件：1.14778 Mbytes Page：9 Pages	Marking：DS065020H3；Package：TO-247-2L；3 rd Generation 650V /20A SiC Schottky Barrier Diode AECQ101qualified RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScomp	SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd 三安光电三安光电股份有限公司	SANAN

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详细参数

型号：
DS
制造商：
Edsyn International
功能描述：
Bulk

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更多DS供应商更新时间2025-6-24 10:17:00

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