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DRV8353HMRTAT	文件：3.18085 Mbytes Page：76 Pages	丝印：DRV8353HM；Package：WQFN(RTA)；DRV8353M 100-V Three-Phase Smart Gate Driver 1 Features • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver – Extended TA operation -55 °C to 125 °C – Optional triple low-side current shunt amplifiers • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control for EMI performance – VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent 文件：3.18085 Mbytes 页数：76 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV8353HMRTAT	文件：3.15245 Mbytes Page：76 Pages	丝印：DRV8353HM；Package：WQFN；DRV8353M 100-V Three-Phase Smart Gate Driver 文件：3.15245 Mbytes 页数：76 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV8353HMRTAT.A	文件：3.18085 Mbytes Page：76 Pages	丝印：DRV8353HM；Package：WQFN(RTA)；DRV8353M 100-V Three-Phase Smart Gate Driver 1 Features • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver – Extended TA operation -55 °C to 125 °C – Optional triple low-side current shunt amplifiers • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control for EMI performance – VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent 文件：3.18085 Mbytes 页数：76 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV8353HMRTATG4	文件：3.18085 Mbytes Page：76 Pages	丝印：DRV8353HM；Package：WQFN(RTA)；DRV8353M 100-V Three-Phase Smart Gate Driver 1 Features • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver – Extended TA operation -55 °C to 125 °C – Optional triple low-side current shunt amplifiers • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control for EMI performance – VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent 文件：3.18085 Mbytes 页数：76 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV8353HMRTATG4.A	文件：3.18085 Mbytes Page：76 Pages	丝印：DRV8353HM；Package：WQFN(RTA)；DRV8353M 100-V Three-Phase Smart Gate Driver 1 Features • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver – Extended TA operation -55 °C to 125 °C – Optional triple low-side current shunt amplifiers • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control for EMI performance – VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent 文件：3.18085 Mbytes 页数：76 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV8353HMRTAT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：40-WFQFN 裸露焊盘；包装：管件功能：控制器 - 换向，方向管理类别：集成电路（IC）电机驱动器，控制器描述：100-V THREE-PHASE SMART GATE DRI	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
DRV8353HMRTAT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 电机驱动器，控制器
包装：
管件
电机类型 - 步进：
多相
电机类型 - AC，DC：
无刷 DC（BLDC）
功能：
控制器 - 换向，方向管理
输出配置：
半桥（3）
接口：
SPI
技术：
功率 MOSFET
应用：
无刷 DC（BLDC）
电流 - 输出：
25mA
电压 - 供电：
7V ~ 75V
电压 - 负载：
9V ~ 100V
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
40-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
40-WQFN（6x6）
描述：
100-V THREE-PHASE SMART GATE DRI

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更多DRV8353HMRTAT供应商更新时间2026-1-24 15:01:00

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