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TPCF8304	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8304	文件：260.7 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIV) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.9S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmodel:Vth=−0.8to−2.0V,(VDS=−10V,ID=−1	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIV)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.9S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmodel:Vth=−0.8to−2.0V,(VDS=−10V,ID=−1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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产品属性

产品编号：
DRV8304SRHAR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
3 相
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
6V ~ 38V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，1.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
150mA，300mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
300ns，150ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
40-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
40-VQFN（6x6）
描述：
IC SENSOR HALL EFFECT

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