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LR8304	文件：582.91 Kbytes Page：13 Pages	LowPowerDC-DCStep-UpConverter	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LT8304	文件：343.65 Kbytes Page：6 Pages	MicropowerNo-OptoIsolatedFlybackConverterwith150V/2ASwitch	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
ME8304Series	文件：215.803 Kbytes Page：8 Pages		MicrOneNajing Micro One Electronics Inc. 南京微盟南京微盟电子有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	MicrOne
MIC-8304	文件：818.66 Kbytes Page：2 Pages	6UCarrierGradeBladeServerforEdgeComputingandNFV Features CarrierGradeBladeServerwithsupportforindustrystandardsoftware frameworksacceleratestheroll-outofnext-generationNFVsolutions Upto9frontslotsforhot-swappableIntel®Xeon®ProcessorE5-2600or Intel®Xeon®ProcessorDbasedCPUbladesforcloudnetworkingand	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MV8304	文件：125.74 Kbytes Page：4 Pages	SUPERBRIGHTT-13/4(5mm)LEDLAMP-WaterClear DESCRIPTION ThisT-13/4superbrightLEDhasamoderateviewingangleof20°forconcentratedlightoutput.TheMV830XseriesismadewithanAllnGaPLEDthatemitsyellowlightat590nm.Itisencapsulatedinawaterclearepoxylenspackage. FEATURES •PopularT-13/4package •Superhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MV8304	文件：96.85 Kbytes Page：3 Pages	SUPERBRIGHTT-13/4(5mm)LEDLAMP-WaterClear	QT QT Optoelectronics	QT
NDH8304	文件：70.99 Kbytes Page：6 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SuperSOTTM-8P-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedfo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDH8304P	文件：70.99 Kbytes Page：6 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SuperSOTTM-8P-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedfo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NX8304BE	文件：106.66 Kbytes Page：5 Pages	NECs1310nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE	CEL California Eastern Labs	CEL
NX8304BE-CC	文件：106.66 Kbytes Page：5 Pages	NECs1310nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE	CEL California Eastern Labs	CEL

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产品属性

产品编号：
DRV8304SRHAR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
3 相
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
6V ~ 38V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，1.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
150mA，300mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
300ns，150ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
40-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
40-VQFN（6x6）
描述：
IC SENSOR HALL EFFECT

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