DRV3201-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

此桥式驱动器专门用于包括安全相关 应用在内的汽车三相位无刷直流电机控制。它提供 6 个用于正常电平 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 晶体管的专用驱动器。此驱动器的功能被设计成处理 250nC 的栅极电荷，并且为了实现轻松的输出斜率调节，可设定此驱动器的拉/灌电流。该器件还通过 SPI 接口集成了先进的诊断、保护和监控 特性 。一个具有集成 FET 的升压转换器提供过驱电压，从而可实现对功率级的完全控制，即使当电池电压低至 4.75V 时也是如此。

特性 Features

• 符合汽车应用 要求
• 具有下列结果的 AEC-Q100 测试指南：
• 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
• 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
• 器件 CDM ESD 分类等级 C3

• 针对电机控制的 3 相位桥式驱动器
• 驱动 6 个单独的 N 通道功率 MOSFET（栅极电荷高达 250nC）
• 可编程的 140mA 至 1A 栅极电流驱动能力（拉电流/灌电流），用于轻松调节输出斜率
• 所有 FET 驱动器引脚上的电压均符合 –7V 至 40V 标准以便处理电感下冲和过冲
• 针对每个功率 MOSFET 的单独控制输入
• 脉宽调制 (PWM) 频率高达 30kHz
• 支持 100% 占空比运行
• 运行电压：4.75V 至 30V
• 用于栅极驱动器电压生成的集成升压转换器所带来的正确低电源电压运行
• 逻辑运行电压低至 3V
• 具有 VDS 监视和可调检测电平的短路保护
• 在低负载电流运行时实现更高分辨率的两个集成高精度电流感测放大器（具有两个增益可编程第二级）
• 过压和欠压保护
• 可设定死区时间的击穿保护
• 三个实时相位比较器
• 过热警告和关断
• 通过串行外设接口 (SPI) 进行的精密故障检测和处理
• 睡眠模式功能
• 复位和使能功能
• 封装：64 引脚散热薄型四方扁平封装 (HTQFP) PowerPAD™