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DRDNB26W-7分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

DRDNB26W-7
厂商型号

DRDNB26W-7

参数属性

DRDNB26W-7 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

功能描述

COMPLEX ARRAY FOR RELAY DRIVERS

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

305.78 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 20:00:00

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DRDNB26W-7规格书详情

特性 Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• One Transistor and One Switching Diode in One Package

• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)

• Green Device (Note 2)

产品属性

  • 产品编号:

    DRDNB26W-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压 + 二极管

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    47 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

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