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DRDN005W分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

DRDN005W

参数属性

DRDN005W 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 0.5A SOT363

功能描述

COMPLEX ARRAY FOR RELAY DRIVERS
TRANS NPN 80V 0.5A SOT363

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

305.78 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 11:11:00

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DRDN005W规格书详情

DRDN005W属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DRDN005W晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• One Transistor and One Switching Diode in One Package

• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)

• Green Device (Note 2)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DRDN005W-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN + 二极管(隔离式)

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 0.5A SOT363

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