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AN5870	文件：101.27 Kbytes Page：14 Pages	WidebandwidthanalogswitchIC ■Overview TheAN5870KisawidebandwidthanalogswitchICof300MHzoperation.ItisusableforRGBsignalandhorizontal/verticalsynchronizingsignals,andithasabuilt-in75Ωdriverforvideosignal.Inaddition,ithasalsorealizedahighspeedoperationbytheadoptionofCMOSprocess	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AN5870K	文件：101.27 Kbytes Page：14 Pages	WidebandwidthanalogswitchIC ■Overview TheAN5870KisawidebandwidthanalogswitchICof300MHzoperation.ItisusableforRGBsignalandhorizontal/verticalsynchronizingsignals,andithasabuilt-in75Ωdriverforvideosignal.Inaddition,ithasalsorealizedahighspeedoperationbytheadoptionofCMOSprocess	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
BP5870	文件：1.00138 Mbytes Page：2 Pages	Worldwideinput,andbuiltinPFCACinput,andisolatedHigh-powerLEDDriverforIllumination Worldwideinput,andbuiltinPFC ACinput,andisolatedHigh-powerLEDDriverforIllumination	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CPH5870	文件：71.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSiliconMOSFET,SchottkyBarrierDiode,General-PurposeSwitchingDeviceApplications MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithaN-channelsilliconMOSFETandaschottkybarrierdiodecontainedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •2.5Vdriv	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTE5870	文件：24.01 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: •HighSurgeCurrentCapability •HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NTE5870	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4 Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: •HighSurgeCurrentCapability •HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NTE5870	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4 Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: •HighSurgeCurrentCapability •HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
S5870	文件：124.96 Kbytes Page：2 Pages	Multi-elementphotodiodesforsurfacemounting	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
ST5870	文件：95.45 Kbytes Page：4 Pages	PhotoTransistor Features •Lensedforhighsensitivity •φ5mm(T-13/4)allplasticmoldtype •Highreliabilityandstablecharacteristics •Visiblelightcut-offtype •Withbaseterminal	AUK AUK	AUK
SZ5870	文件：88.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES	SSDI SSDI	SSDI
UZ5870	文件：109.92 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Fused-in-glass,metallurgically-bonded5wattzeners. FEATURES •2TimesGreaterSurgeRatingthanConventional10WattZeners •SmallPhysicalSize	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ5870	文件：265.37 Kbytes Page：3 Pages	POWERZENERS5WATT POWERZENERS5WATT AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
UZ5870	文件：452.07 Kbytes Page：1 Pages	ElectricalSpecificationsat25oC ZenerDiodes ElectricalSpecificationsat25°C	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
UZ5870	文件：116.64 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Fused-in-glass,metallurgically-bonded5wattzeners. FEATURES •2TimesGreaterSurgeRatingthanConventional10WattZeners •SmallPhysicalSize	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
DP5870AN
制造商：
Texas Instruments

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