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HG5210-LF	文件：419.29 Kbytes Page：2 Pages	DesignedforlonghaulgigabitEthernet1000BASE-T,fullduplexapplications.	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
HS5210	文件：2.32939 Mbytes Page：3 Pages	12-BitAdjustmentFreeADCs	APITECH API Technologies Corp	APITECH
IIRF5210	文件：334.13 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF5210	文件：125.28 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210	文件：738.7 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5210	文件：334.13 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF5210L	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210L	文件：272.32 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF5210L	文件：738.7 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5210LPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF

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