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DNLS412E	文件：161.56 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 57.5m at 4A • High DC Current Gain hFE > 400 at IC = 3A • Complementary PNP Type Available (DPLS315E) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or 文件：161.56 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DNLS412E-13	文件：161.56 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 57.5m at 4A • High DC Current Gain hFE > 400 at IC = 3A • Complementary PNP Type Available (DPLS315E) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or 文件：161.56 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DNLS412E	文件：300 bytes Page：1 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes
DNLS412E-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 4A SOT-223	DIODES 美台半导体	DIODES

更多DNLS412E供应商更新时间2026-1-17 8:31:00