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DNLS412E-13	文件：161.56 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 57.5m at 4A • High DC Current Gain hFE > 400 at IC = 3A • Complementary PNP Type Available (DPLS315E) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or 文件：161.56 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DNLS412E-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 4A SOT-223	DIODES 美台半导体	DIODES
DNP012A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	WELTREN 上传：深圳市佳兆微电子有限公司	WELTREN

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更多DNLS412E-13供应商更新时间2026-1-29 14:14:00