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DMP57D5UFB

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance: RDS(ON) ≤ 6Ω @ VGS = -4.0V RDS(ON) ≤ 8Ω @ VGS = -2.5V • Very Low Gate Threshold Voltage, ≤ 1.0V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected Gate, 1KV • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green De

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DIODES

美台半导体

DMP57D5UFB-7

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance: RDS(ON) ≤ 6Ω @ VGS = -4.0V RDS(ON) ≤ 8Ω @ VGS = -2.5V • Very Low Gate Threshold Voltage, ≤ 1.0V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected Gate, 1KV • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green De

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DIODES

美台半导体

DMP57D5UFB

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Diodes

美台半导体

DMP57D5UV

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:150.33 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

详细参数

  • 型号:

    DMP57D5UFB

  • 制造商:

    DIODES

  • 制造商全称:

    Diodes Incorporated

  • 功能描述:

    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多DMP57D5UFB供应商 更新时间2026-1-22 14:25:00