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DMP57D5UFB-7	文件：214.4 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance: RDS(ON)≤6Ω@VGS=-4.0V RDS(ON)≤8Ω@VGS=-2.5V •VeryLowGateThresholdVoltage,≤1.0V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ESDProtectedGate,1KV •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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DMP57D5UFB-7

文件：214.4 Kbytes

Page：4 Pages

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features •LowOn-Resistance: RDS(ON)≤6Ω@VGS=-4.0V RDS(ON)≤8Ω@VGS=-2.5V •VeryLowGateThresholdVoltage,≤1.0V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ESDProtectedGate,1KV •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDe

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

详细参数

型号：
DMP57D5UFB-7
功能描述：
MOSFET PMOS-SINGLE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMP57D5UFB-7供应商更新时间2025-7-29 16:50:00

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