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DMP2240UW	文件：165.49 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •P-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •150mΩ@VGS=-4.5V •200mΩ@VGS=-2.5V •240mΩ@VGS=-1.8V •VeryLowGateThresholdVoltageVGS(th)≤1V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Not	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2240UWQ	文件：488.37 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •Backlighting •PowerManagementFunctions •DC-DCConverters Features •Lo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DSC2240	文件：558.21 Kbytes Page：5 Pages	Low-JitterI2C/SPIProgrammableHCSLOscillator	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
FN2240	文件：365.48 Kbytes Page：5 Pages	DC-BusbarEMC/RFIFilterforEVchargingapplications Featuresandbenefits -FN222X,FN223XandFN224Xseriesoffilters providesstate-of-the-artEMIattenuationwitha choiceofthreeperformancelevels -ThefiltersarebuilttofitperfectlytohighpowerEV chargingapplications -Theshapeallowsaconvenientandspace-saving installation	SCHAFFNERSchaffner International Ltd 夏弗纳	SCHAFFNER
HAT2240C	文件：82.32 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT2240C	文件：89.1 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT2240C-EL-E	文件：82.32 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HMC-T2240	文件：1.02022 Mbytes Page：6 Pages	SYNTHESIZEDSIGNALGENERATOR,10MHzto40GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HSC2240	文件：36.9 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Lownoiseaudioamplifierapplications	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HUN2240	文件：50.97 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Description Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;aseriesbaseresistorandabase-emitterr	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

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