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DMN67D8L中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN67D8L

参数属性

DMN67D8L 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T\u0026R

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T\u0026R

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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DMN67D8L规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed

应用 Application

Motor Control
Power Management Functions
Backlighting
Consumer
Industrial
Computer
Communications

简介

DMN67D8L属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的DMN67D8L晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DMN67D8L

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :0.21 A

  • PD @ TA = +25°C

    :0.54 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :5000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :7500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :0.2 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES(美台)
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SOT323(SC70)
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SOT-323
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