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DMN65D8LDW数据手册Diodes中文资料规格书
DMN65D8LDW规格书详情
描述 Description
This new generation 60V N channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld application.
应用 Application
DC-DC Converters
\t
\t\tPower management functions
\t
\t\tBattery Operated Systems and Solid-State Relays
\t
\t\tDrivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories, Transistors, etc
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\t\t\t\tProduct Specifications
技术参数
- 制造商编号
：DMN65D8LDW
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：DMN65D8LDWQ
- Polarity
：N+N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：60 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：0.2 A
- PD @ TA = +25°C
：0.3 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：6000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：8000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：20 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：N/A nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
1942+ |
SOT-363 |
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DIODES |
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SOT363 |
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NA |
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NA |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-363 |
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原装正品 |
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DIODES/美台 |
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SOT-363 |
30000 |
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SOT363 |
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DIODES |
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SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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