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DMN6070SY中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN6070SY

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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DMN6070SY规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed

应用 Application

DC-DC Converters
Power Management Functions
Backlighting

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN6070SY

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :4.1 A

  • PD @ TA = +25°C

    :2.1 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :85 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :110 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :5.6 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :12.3 nC

  • Packages

    :SOT89

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