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DMN6040SK3Q中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DMN6040SK3Q |
| 参数属性 | DMN6040SK3Q 包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T\u0026R |
| 功能描述 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 14:20:00 |
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DMN6040SK3Q规格书详情
简介
DMN6040SK3Q属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的DMN6040SK3Q晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：DMN6040SK3Q
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：No
- VDS
：60 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：20 A
- PD @ TA = +25°C
：42 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：40 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：58 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：3 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：10.4 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：22.4 nC
- Packages
：TO252 (DPAK)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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