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DMN6040SK3中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN6040SK3

参数属性

DMN6040SK3 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T\u0026R

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T\u0026R

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 14:35:00

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DMN6040SK3规格书详情

描述 Description

This new generation 60V N channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld and lighten application

应用 Application

DC-DC ConvertersPower Management FunctionsBacklighting
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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

DMN6040SK3属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的DMN6040SK3晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DMN6040SK3

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :6.3 A

  • PD @ TA = +25°C

    :42 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :40 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :50 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :22.4 nC

  • Packages

    :TO252 (DPAK)

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DIODES/美台
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