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DMN2451UFDQ-13

丝印:CN2;Package:U-DFN1212-3;N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  Low On-Resistance  Very low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max.  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2451UFDQ is suitable for auto

文件:583.16 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMN24H3D5L-7

SOT-23

DIODES

美台半导体

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

DMN26D0UT-7

SOT-523

DIODES

美台半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

DMN3007LSS-13

SOIC-8_150mil

DIODES/美台

DMN3110LCP3-7

X2-DSN1006-3

DIODES/美台

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更多DMN2451UFDQ-13供应商 更新时间2025-12-24 10:02:00