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DXT3904	文件：243.27 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DXT3906) •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qu	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FFB3904	文件：77.9 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.SourcedfromProcess23.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB3904	文件：99.48 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB3904D	文件：459.96 Kbytes Page：8 Pages	DualGeneralPurposeTransistor	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FJX3904	文件：41.48 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor •GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX3904	文件：132 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX3904TF	文件：132 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB3904	文件：99.48 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB3904	文件：77.9 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.SourcedfromProcess23.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT3904	文件：36.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR 200mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BV40VMin.@I=1mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capable	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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详细参数

型号：
DMMT3904-T
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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