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F1010N	文件：211.92 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? VDSS=55V RDS(on)=11mΩ ID=85A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
F1010NS	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
FB1010	文件：34.65 Kbytes Page：2 Pages	10Amp.GlassPassivatedBridgeRectifier [FAGOR] 10Amp.GlassPassivatedBridgeRectifier •GlassPassivatedJunction •ULrecognizedundercomponentindexfilenumberE130180 •Terminals:FASTON① •Terminals:WIRELEADS② •Max.MountingTorque:25Kgxcm LeadandpolarityidentificationsHighsurgecurrentcapability	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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VDSS=55V RDS(on)=11mΩ ID=85A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig

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[FAGOR] 10Amp.GlassPassivatedBridgeRectifier •GlassPassivatedJunction •ULrecognizedundercomponentindexfilenumberE130180 •Terminals:FASTON① •Terminals:WIRELEADS② •Max.MountingTorque:25Kgxcm LeadandpolarityidentificationsHighsurgecurrentcapability

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