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DMI0909	文件：197.58 Kbytes Page：4 Pages	Leaded Power Chokes DMI 文件：197.58 Kbytes 页数：4 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
DMI0909-R25M-N	文件：197.58 Kbytes Page：4 Pages	Leaded Power Chokes DMI 文件：197.58 Kbytes 页数：4 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
MGF0909	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP. 文件：22.93 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP. 文件：22.93 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A	文件：38.08 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? 文件：38.08 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

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