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DSEI2X61-12	文件：136.95 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) Features •2independentFREDin1package •Isolationvoltage3000V~ •Planarpassivatedchips •LeadssuitableforPCboardsoldering •Veryshortrecoverytime •Softrecoverybehaviour Applications •Antiparalleldiodeforhighfrequencyswitchingdevices •Antisaturationdiode •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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DSEI2X61-12B	文件：557.44 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode DESCRIPTION ·Planarpassivatedchips ·Lowleakagecurrent ·Veryshortrecoverytime ·Improvedthermalbehaviour ·VerylowIrm-values ·Verysoftrecoverybehaviour APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEI2X61-12P	文件：142.54 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) Features •2independentFREDin1package •Isolationvoltage3000V~ •Planarpassivatedchips •LeadssuitableforPCboardsoldering •Veryshortrecoverytime •Softrecoverybehaviour Applications •Antiparalleldiodeforhighfrequencyswitchingdevices •Antisaturationdiode •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
DSEP2X61-12A	文件：46.35 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFRED-TMEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features ●InternationalstandardpackageminiBLOC ●Isolationvoltage2500V~ ●ULregisteredE72873 ●2independentFREDin1package ●Planarpassivatedchips ●Veryshortrecoverytime ●Extremelylowswitchinglosses ●LowIRM-values ●Softrecoverybehaviour Applications ●Antipa	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
PSEI2X61-12	文件：142.34 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)	POWERSEM Powersem GmbH,	POWERSEM

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