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DGTD65T40S2PT数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

DGTD65T40S2PT

参数属性

DGTD65T40S2PT 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K

功能描述

650V FIELD STOP IGBT IN TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-10 16:20:00

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DGTD65T40S2PT规格书详情

描述 Description

The DGTD65T40S2PT is produced using advanced Field Stop Trench IGBT Technology, which provides excellent quality and high switching performance.

特性 Features

•High Speed Switching & Low Power Loss
•VCE(sat) = 1.8V @ IC = 40A
•trr = 60ns (typ) @ diF/dt = 820A/µs
•Eoff = 0.4mJ @ TC=25°C
•Maximum Junction Temperature +175°C

应用 Application

•UPS
•Welder
•Solar Inverter
•IH Cooker

技术参数

  • 制造商编号

    :DGTD65T40S2PT

  • 生产厂家

    :Diodes

  • IC @ +25°C (A)

    :80 A

  • IC @ +100°C (A)

    :40 A

  • VCE(sat) max @ +25°C (V)

    :2.3 V

  • VCE(sat) typ @ +25°C (V)

    :1.8 V

  • EON typ @ +25°C (mJ)

    :0.5 mJ

  • EOFF typ @ +25°C (mJ)

    :0.4 mJ

  • Power Dissipation @ TC = +25°C (W)

    :230 W

  • Short Circuit (µs)

    :N/A µs

  • Anti Parallel Diode

    :Yes

  • Packages

    :TO247 (Type MC)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
22+
TO247
90000
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DIODES(美台)
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2022+
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