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DGTD65T15H2TF中文资料650V FIELD STOP IGBT数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DGTD65T15H2TF

参数属性

DGTD65T15H2TF 封装/外壳为TO-220-3 全封装,隔离接片;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT600V-XITO-220AB

功能描述

650V FIELD STOP IGBT

封装外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 16:11:00

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DGTD65T15H2TF规格书详情

描述 Description

The DGTD65T15H2TF is produced using advanced Field Stop Trench IGBT Technology, which provides high performance, excellent quality and high ruggedness.

特性 Features

•High ruggedness for Motor Control
•VCE(sat) Positive Temperature Coefficient
•Very Soft, Fast Recovery Anti-Parallel Diode
•Low EMI
•Maximum Junction Temperature 175°C

应用 Application

•Motor Controls

技术参数

  • 制造商编号

    :DGTD65T15H2TF

  • 生产厂家

    :Diodes

  • IC @ +25°C (A)

    :30 A

  • IC @ +100°C (A)

    :15 A

  • VCE(sat) max @ +25°C (V)

    :2 V

  • VCE(sat) typ @ +25°C (V)

    :1.65 V

  • EON typ @ +25°C (mJ)

    :0.27 mJ

  • EOFF typ @ +25°C (mJ)

    :0.086 mJ

  • Power Dissipation @ TC = +25°C (W)

    :48 W

  • Short Circuit (µs)

    :5 µs

  • Anti Parallel Diode

    :Yes

  • Packages

    :ITO220AB (Type MC)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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