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DGD2181MS8-13集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

DGD2181MS8-13
厂商型号

DGD2181MS8-13

参数属性

DGD2181MS8-13 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

功能描述

HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8

丝印标识

DGD2181M

封装外壳

SO-8 / 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

607.2 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 23:00:00

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DGD2181MS8-13规格书详情

Features

- Floating High-Side Driver in Bootstrap Operation to 600V

- Drives Two N-Channel MOSFETs or IGBTs in a Half Bridge Configuration

- 1.9A Source / 2.3A Sink Output Current Capability

- Outputs Tolerant to Negative Transients

- Wide Low-Side Gate Driver and Logic Supply: 10V to 20V

- Logic Input (HIN and LIN) 3.3V Capability

- Schmitt Triggered Logic Inputs with Internal Pull Down

- Undervoltage Lockout for High and Low Side Drivers

- Extended Temperature Range: -40°C to +125°C

- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

- For automotive applications requiring specific change control

Applications

- DC-DC Converters

- DC-AC Inverters

- AC-DC Power Supplies

- Motor Controls

- Class D Power Amplifiers

产品属性

  • 产品编号:

    DGD2181MS8-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.9A,2.3A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    40ns,20ns

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO 类 TH

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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